اکسید گرافن کربوکسیله به‌عنوان لایۀ تزریق‌کنندۀ حفرۀ مؤثر در دیود نورگسیل پلیمری

نویسندگان

1 دانشگاه کاشان

2 دانشکده‌ی مهندسی برق، خواجه نصیرالدین طوسی

چکیده

در این مقاله، دیود نورگسیل پلیمری (PLED) با پیکربندی glass/ITO/GO-COOH/MEH-PPV/Al ساخته شد. ابتدا لایۀ نازک ایندیوم قلع اکسید (ITO) بر روی زیرلایه‌های شیشه‌ای، به روش کندوپاش فرکانس رادیویی (RF) لایه‌نشانی و سپس تأثیر اکسید گرافن کربوکسیلۀ (GO-COOH) سنتزی به‌عنوان لایۀ تزریق‌کنندۀ حفره (HIL) بر روی عملکرد PLED ساخته‌شده با پلی (2- متوکسی- 5- (ʹ2- اتیل هگزیلوکسی)-1، 4- فنیلن وینیلن) (MEH-PPV) بررسی شد. همچنین خواص الکتریکی و نوری الکترود شفاف ITO اندازه‌گیری شد. درنهایت، عملکرد دیود ساخته‌شده بررسی گردید و با PLED ساخته‌شده با پلی (3، 4- اتیلن دی‌اکسی تیوفن): پلی (استایرن سولفونات) (PEDOT:PSS) به‌عنوان HIL موردمقایسه قرار گرفت. به‌منظور تخمین ارتفاع سد پتانسیل تزریق حفرۀ (j) PLEDs ساخته‌شده، از مدل تونل‌زنی فاولر- نوردهایم (FN) استفاده شد. نتایج نشان می‌دهد که GO-COOH تزریق حفره در داخل ساختار PLED را بهبود داده و سبب کاهش ولتاژ روشن شدن قطعه می‌شود. بنابراین، GO-COOH می‌تواند به‌عنوان یک HIL مناسب در PLEDs و همچنین سایر افزاره‌های میکرو و نانوالکترونیکی استفاده شود.

کلیدواژه‌ها